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| 材料・実装技術関連用語 |
BGA | Ball Grid Array | ICチップのパッケージ方法の一つ。平たいパッケージ
の下面に外部入出力用のパッドが並んでいるタイプのもの。 |
BVH | Blind Via Hole | 表層と特定の層間を接続するビア。パット下にＢＶＨを付設しＢＶＨ上にメッキを施す事によりチップオンホールとなる。 |
COF | Chip On Film | フリップチップ半導体をフィルム基板に実装する技術。 |
COG | Chip On Glass | ガラス基板にICを直接実装する技術。 |
ＣＳＰ | Chip Size Package | 内蔵する半導体チップと同じか少し大きめ程度の超小型パッケージ。ダイをインターポーザー (Interposer) に実装しワイヤ・ボンディングかフリップチップによって接続する。 |
FCCL | Flexible Copper Clad Laminate | 2層：銅箔層、絶縁層の２層構造。（接着剤層が無い） 3層：銅箔層、接着剤層、絶縁層の３層構造
絶縁層：主にポリイミドフィルムが使用されている。 |
FCP | Flip Chip Package | ICを裏返して接点（導電性のバンプ）を下に向け、バンプとパッケージを直接結合する。 |
FR-4 | | 米国の標準化団体であるNEMAが規定したCuを張った積層板の耐熱性グレードのうち，4番目に耐熱性の高いグレードの材料。 |
FR-5 | |
米国の標準化団体であるNEMAが規定したCuを張った積層板の耐熱性グレードのうち，5番目に耐熱性の高いグレードの材料。 |
IVH | Interstitial Via Hole | 特定の層間のみを接続するビア。 |
ＰＥＴ | Polyethylene terephthalate | ＩＣカード等に使用されている樹脂。
耐熱温度は～90°程度 |
SiP | System in Package | パッケージ内に複数のベアチップを内蔵しバンプなどにより結線を行ったもので、システム全体を1つのパッケージに収める。
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TAB | Tape Automated Bonding | 半導体チップと回路基板（フィルム）をバンプを介して接合する実装技。 |
W-CSP | Wafer-level Chip Size Package | 半導体素子を形成するウェハ（シリコンウェハ）を切り出す前に端子の形成や配線などを行い、それからウェハを切り出すという方法によって形成されたCSP。
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アディティブ法 | | 銅パターンを形成したくない部分にレジスト（めっきレジスト）を形成し、レジストのない部分に電解または無電解めっきを施すことでパターンを形成する。 |
アンダーフィル剤 | | BGA・CSPと配線基板との隙間に封止樹脂（アンダーフィル剤）を入れて、応力の緩和、脱落防止の補強として用いる。 |
液晶ポリマー | Liquid Crystal Polymer | コネクター等に使用されている樹脂。 寸法安定性が高い、誘電正接が低い等で高周波半導体用プリント基板で注目されている。 |
サブトラクティブ法 | | 全面に銅箔を張られた基板から、不要な部分をエッチング等で取り除いて回路を形成する方法 。 |
シード層 | | アディティブ法2層ＦＣＣＬ上ににシード層（ＮｉCr合金）をスパッタリングし、その上に銅パターンを形成する。その後シード層を除去する。 |
デスミア処理 | | 基板孔開け工程時に発生したスミアの除去、及び樹脂と銅との密着強度を上げる為の樹脂粗化を目的としたプロセス。
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鉛フリーはんだ | | 産業用は、Sn Ag3～0.5%Cu1～0.5％が主
融点220℃程度 |
部品内蔵基板 | | LSI（能動部品）や受動部品を基板の中に埋め込むことで，基板の面積を削減する。 |
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| | エレクトロケミカルマイグレーション関連用語 |
HAST | Highly Accelerated Temperature Humidity Stress Test | 高度加速温湿度ストレス試験 85℃85％ＲＨと比較す
ると、121℃85％ＲＨだと約10倍程度の加速レートとなる。 (活性化エネルギー1.0eV時） |
CAF | Conductive Anode Filaments | ガラスクロスの単繊維に沿って発生するマイグレーション現象。 |
ＲｏＨＳ指令 | | 電気電子機器への特定有害物質の含有を禁止するもの。規制対象となっているのは，Pb（鉛），Cd（カドミウム），Cr6＋（6価クロム），Hg（水銀），PBB（ポリブロモビフェニル），PBDE（ポリブロモジフェニルエーテル）の 6物質である。 |
ＴＨＢ | Temperature Humidity Bias | 高温高湿バイアス試験。 |
アレニウスの式 | | 反応速度定数と温度との関係を表す実験式。
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印加電圧 | | 試料に印加する電圧。打ち合わせによって印加電圧を決定するが、絶縁破壊電圧以下でなければならない。 |
温度加速性 | | 故障までの時間は、温度に指数的に逆比例する。
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活性化エネルギー | | 反応の出発物質の基底状態から遷移状態に励起するのに必要なエネルギー。
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カバーレイ | | フレキシブル配線板に用いられる絶縁性の保護膜。 |
ガラス転移温度（Ｔｇ） | | 高分子物質を加熱した場合にガラス状の硬い状態からゴム状に変わる現象をガラス転移という。加速寿命試験においては、試料を構成する材料のガラス転移温度以下の試験条件を採用する必要がある。 |
シランカップリング剤 | Ｓｉｌａｎｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ａｇｅｎｔ | 親和性がなく接着しにくいもの同士（ガラスとエポキシ樹脂などの接着力を向上させるための材料。または処理。 |
ソルダーレジスト | Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ | プリント配線板表面に耐熱性被覆材料で、不要な部分にはんだがつかないようにするもの。 ・液状タイプ 加熱硬化/UV硬化 ・ドライフィルムタイプ（DFR) |
槽外測定 | | 試料を試験槽から定時間隔で、試験槽外に取り出して絶縁抵抗を測定する。 一般的に通電停止しした時点で絶縁抵抗は増大し、かつ槽外測定にてストレスの連続性が阻害される為、槽内測定に比べて寿命は長くなり絶縁抵抗も高くでる。 及び試験中の絶縁抵抗値劣化・リークタッチを検出できないので 間違った評価判断をしてしまう可能性もある。 |
槽内測定 | | 試料を試験槽内にて、試験時間が終了するまで連続的に絶縁抵抗を測定する。上記、槽外測定の欠点を払しょくできる。 |
電圧加速性 | | 故障までの時間は、印加電圧に逆比例する。 |
デンドライト | | プリント配線板表面、界面などに樹枝状に発生するマイグレーション
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トラッキング現象 | | 表面リーク、微少沿面放電、表面炭化焼損等。
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ハロゲンフリー | | 難燃剤等に、ハロゲン（塩素、臭素、フッ素等）を含まないこと。
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リークタッチ | | パターン間がデンドライト等で、短絡した時。または、短絡した状態。 |
ワイブル分布 | Ｗｅｉｂｕｌｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ | 物体の強度等を、統計的に解析する手法。 |